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助研 PECVD ZYE-1200-PE 在薄膜材料制备中具有显著的科研应用价值,可实现高质量、可重复的薄膜生长。其等离子化学气相沉积系统支持低温工艺与精确参数控制,提升PECVD薄膜沉积均匀性与稳定性。设备广泛适用于半导体薄膜制备、光电功能材料研究及新型材料表面改性等领域。助研品牌在科研设备领域经验丰富,产品以高可靠性PECVD实验设备和完善技术支持赢得用户信赖。

产品特点:

1.为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种 CVD 称为等离子体增强化学气相沉积法 (PECVD);

2.它是由 500W 射频电源、1200℃单温区管式炉、三通道质量流量混气系统和真空系统组成;

3.此款 PECVD 系统用于生长纳米线、石墨烯或 SIC 薄膜等。

参数名称规格说明
配制炉管尺寸Φ50(外)x1200mm(其他可定制)
炉膛尺寸Φ80x280mm
工作电压单相 AC220V,50/60Hz
工作温度最高温度: 1200℃ (使用时必须通入惰性气体以防止炉管发生形变) 工作温度: 1100℃ 推荐升温速率:≤ 10℃ /min
加热区加热区长度: 220mm 恒温区长度: 60-80mm (±3℃)
加热元件北京首钢 HRE
最大功率3kw
控制方式PID 控制和自整定调节功能智能化 30 段可编程控制具有超温及断偶报警功能 K 型热电偶可安 装 PC 控制软件对数据进行实时采集(需另购)
控温精度±1℃
密封系统不锈钢密封法兰(包括 316L 针阀、真空机械压力表、软管接头)
供气系统三路高精度 MFC 量程 0-500sccm(按客户需求定)
射频电源射频功率:5-500W 射频频率:13.56MHz 匹配方式:自动匹配
真空系统双级旋片真空泵(可定制扩散泵、分子泵等)
设备外形尺寸1600x600x1200mm


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